Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 210 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ182EP-T1_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

8,45 €

(TVA exclue)

10,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Pénurie d'approvisionnement
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +1,69 €8,45 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
239-5409
Référence fabricant:
SQJ182EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

210A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Series

SQJ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.005Ω

Maximum Power Dissipation Pd

395W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS

Length

6.15mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay N channel MOSFET has drain current of 210 A.

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

Liens connexes