Vishay Type N-Channel MOSFET, 410 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ160EP-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 239-8666
- Référence fabricant:
- SQJ160EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,99 €
(TVA exclue)
14,51 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 2 815 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,398 € | 11,99 € |
| 50 - 120 | 2,254 € | 11,27 € |
| 125 - 245 | 2,038 € | 10,19 € |
| 250 - 495 | 1,918 € | 9,59 € |
| 500 + | 1,798 € | 8,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-8666
- Référence fabricant:
- SQJ160EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 410A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.002Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 410A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.002Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay SQJ is automotive N-Channel MOSFET which operates at 60 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
AEC-Q101 qualified
UIS tested
Liens connexes
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ160EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ170ELP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA66EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin PowerPAK SO-8L SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJB46ELP-T1_GE3
- Vishay MOSFET 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJB46EP-T1_GE3
