Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3

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268-8364
Référence fabricant:
SQJ186ELP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Series

SQJ

Mount Type

PCB

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.032Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

135W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

4.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and that has independent of operating temperature.

AEC Q101 qualified

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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