Références fabricant

Vishay Single SQJ 1 Type P-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ457EP-T1_GE3

N° de stock RS:: 180-7972
Référence fabricant:: SQJ457EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Single SQJ 1 Type P-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ457EP-T1_GE3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

14,70 €

(TVA exclue)

17,78 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

2 720 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 80	0,735 €	14,70 €
100 - 180	0,551 €	11,02 €
200 - 480	0,486 €	9,72 €
500 - 980	0,473 €	9,46 €
1000 +	0,462 €	9,24 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 180-7972
Référence fabricant:: SQJ457EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SQJ
	Package Type	PowerPAK SO-8L
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.025Ω
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Single
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Length	6.15mm
	Height	1.14mm
	Width	5.13 mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SQJ
	Package Type PowerPAK SO-8L
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.025Ω
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Single
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Length 6.15mm
	Height 1.14mm
	Width 5.13 mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Vishay MOSFET

The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 6.7mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 375W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switches

• DC/DC primary switches

• Load switches

• Power management

Certifications

• AEC-Q101 qualified

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested