Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 210 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ182EP-T1_GE3

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N° de stock RS:
239-5408
Référence fabricant:
SQJ182EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

210A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Series

SQJ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.005Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

395W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.9 mm

Length

6.15mm

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay N channel MOSFET has drain current of 210 A.

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

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