Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -128 A, -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ181ELP-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 735-269
- Référence fabricant:
- SQJ181ELP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 735-269
- Référence fabricant:
- SQJ181ELP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -128A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -80V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0283Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 468W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -128A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -80V | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0283Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 468W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
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