Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 237 A, 120 V, 8-Pin HSOF-8 IPT030N12N3GATMA1
- N° de stock RS:
- 236-3670
- Référence fabricant:
- IPT030N12N3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,255 € | 10,51 € |
| 20 - 48 | 4,735 € | 9,47 € |
| 50 - 98 | 4,415 € | 8,83 € |
| 100 - 198 | 4,10 € | 8,20 € |
| 200 + | 3,835 € | 7,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 236-3670
- Référence fabricant:
- IPT030N12N3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 237A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V | |
| Package Type | HSOF-8 | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Width | 10.58 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 237A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 120V | ||
Package Type HSOF-8 | ||
Series OptiMOS™ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.4mm | ||
Width 10.58 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS power MOSFET is the Ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance. It is used in light electric vehicle, low voltage drives and battery powered tools.
High power density and improved thermal management
Less board space needed
High system efficiency and less paralleling required
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