Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 237 A, 120 V, 8-Pin HSOF-8 IPT030N12N3GATMA1

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236-3669
Référence fabricant:
IPT030N12N3GATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

237A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Package Type

HSOF-8

Series

OptiMOS™

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.4mm

Length

10.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET is the Ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance. It is used in light electric vehicle, low voltage drives and battery powered tools.

High power density and improved thermal management

Less board space needed

High system efficiency and less paralleling required

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