Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 433 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5IATMA1

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236-3645
Référence fabricant:
BSC005N03LS5IATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

433A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS™

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Forward Voltage Vf

0.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.49mm

Width

6.35 mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.55 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

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