Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 433 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5IATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

12,55 €

(TVA exclue)

15,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 4 965 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,51 €12,55 €
50 - 1202,26 €11,30 €
125 - 2452,134 €10,67 €
250 - 4951,982 €9,91 €
500 +1,832 €9,16 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
236-3645
Référence fabricant:
BSC005N03LS5IATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

433A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS™

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Forward Voltage Vf

0.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.1mm

Width

6.35 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.49mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.55 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

Liens connexes