Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 433 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5ATMA1

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

3 700,00 €

(TVA exclue)

4 500,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 14 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,74 €3 700,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
236-3642
Référence fabricant:
BSC005N03LS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

433A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS™

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.49mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.55 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.