Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 80 V, 8-Pin PQFN ISZ0602NLSATMA1

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232-6769
Référence fabricant:
ISZ0602NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS 5

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.9mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

3.4mm

Width

1.1 mm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

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