Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 80 V, 8-Pin PQFN ISZ0602NLSATMA1
- N° de stock RS:
- 232-6769
- Référence fabricant:
- ISZ0602NLSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,536 € | 7,68 € |
| 50 - 120 | 1,382 € | 6,91 € |
| 125 - 245 | 1,292 € | 6,46 € |
| 250 - 495 | 1,198 € | 5,99 € |
| 500 + | 1,106 € | 5,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 232-6769
- Référence fabricant:
- ISZ0602NLSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.9mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 1.1 mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PQFN | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.9mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 1.1 mm | ||
Length 3.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
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