Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 56 A, 60 V, 8-Pin PQFN ISZ0703NLSATMA1

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N° de stock RS:
232-6773
Référence fabricant:
ISZ0703NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS 5

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.2mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

44W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Height

3.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

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