Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ110N08NS5ATMA1
- N° de stock RS:
- 214-4345
- Référence fabricant:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
17,68 €
(TVA exclue)
21,40 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 13 640 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,884 € | 17,68 € |
| 100 - 180 | 0,84 € | 16,80 € |
| 200 - 480 | 0,804 € | 16,08 € |
| 500 - 980 | 0,769 € | 15,38 € |
| 1000 + | 0,716 € | 14,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4345
- Référence fabricant:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PQFN | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
It has rugged body diode
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity
Liens connexes
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ070N08LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ034N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN ISZ0602NLSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN