Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin PQFN

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 050,00 €

(TVA exclue)

2 500,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 10 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,41 €2 050,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-4344
Référence fabricant:
BSZ110N08NS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PQFN

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Width

3.4 mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Liens connexes