Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 80 V, 8-Pin PQFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 955,00 €

(TVA exclue)

2 365,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,391 €1 955,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
232-6768
Référence fabricant:
ISZ0602NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PQFN

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.9mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.4mm

Width

1.1 mm

Standards/Approvals

No

Height

3.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Liens connexes