Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V N, 8-Pin PQFN
- N° de stock RS:
- 214-4338
- Référence fabricant:
- BSZ034N04LSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 755,00 €
(TVA exclue)
2 125,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 20 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,351 € | 1 755,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4338
- Référence fabricant:
- BSZ034N04LSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
It provides high system efficiency
It is 100% Avalanche tested
Liens connexes
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ034N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ146N10LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ040N04LSGATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET Transistor & Diode 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Infineon OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IPZ40N04S55R4ATMA1
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ110N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ070N08LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ 3 Silicon N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ150N10LS3GATMA1
