Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 8-Pin PQFN

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N° de stock RS:
232-6777
Référence fabricant:
ISZ0804NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS 5

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.5mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

1.1 mm

Length

3.4mm

Height

3.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

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