Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 57 A, 60 V, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 675,00 €

(TVA exclue)

2 025,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,335 €1 675,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
232-6754
Référence fabricant:
ISC0703NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.9mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

44W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

1.2 mm

Height

5.35mm

Length

6.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Liens connexes