Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 57 A, 60 V, 8-Pin SO-8 ISC0703NLSATMA1

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232-6755
Référence fabricant:
ISC0703NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.9mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

44W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.1mm

Width

1.2 mm

Height

5.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

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