Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 135 A, 60 V, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 232-6752
- Référence fabricant:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
2 545,00 €
(TVA exclue)
3 080,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,509 € | 2 545,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 232-6752
- Référence fabricant:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 135A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Height | 5.35mm | |
| Width | 1.2 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 135A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Height 5.35mm | ||
Width 1.2 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
Liens connexes
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0702NLSATMA1
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0703NLSATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC065N06LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC011N06LM5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC016N06NSTATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC094N06LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC098N10NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 DSC BSC014N06NSSCATMA1
