Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V Enhancement SO-8 IRF6644TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9295
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*
5 169,60 €
(TVA exclue)
6 254,40 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4800 + | 1,077 € | 5 169,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9295
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High current rating
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No RoHS exemption)
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V SO-8 IRF6644TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7473TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 IRF3710STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7313TRPBF
