Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 71 A, 100 V, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 232-6763
- Référence fabricant:
- ISC0805NLSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 490,00 €
(TVA exclue)
1 805,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 18 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,298 € | 1 490,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 232-6763
- Référence fabricant:
- ISC0805NLSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 71A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.7mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.35mm | |
| Width | 1.2 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 71A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.7mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.35mm | ||
Width 1.2 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
Liens connexes
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0805NLSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0804NLSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0802NLSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0803NLSATMA1
