Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 135 A, 60 V, 8-Pin SO-8 ISC0702NLSATMA1

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232-6753
Référence fabricant:
ISC0702NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

135A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS 5

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.1mm

Width

1.2 mm

Height

5.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

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