Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V Enhancement SO-8 IRF6644TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High current rating
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No RoHS exemption)
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