Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V SO-8 IRF6644TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,84 €
(TVA exclue)
4,64 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 478 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 + | 1,92 € | 3,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High current rating
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No RoHS exemption)
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 IRF3710STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP3710PBF