Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V SO-8 IRF6644TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,84 €
(TVA exclue)
4,64 €
(TVA incluse)
Ajouter 40 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 4 470 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 + | 1,92 € | 3,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9296
- Référence fabricant:
- IRF6644TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High current rating
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No RoHS exemption)
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 IRF3710STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP3710PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8