Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 258 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF928DT-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

9,64 €

(TVA exclue)

11,665 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 12 650 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,928 €9,64 €
50 - 1201,812 €9,06 €
125 - 2451,64 €8,20 €
250 - 4951,544 €7,72 €
500 +1,448 €7,24 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
228-2943
Référence fabricant:
SiZF928DT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

258A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 6 x 5F

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00245Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes