Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 258 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF928DT-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2943
- Référence fabricant:
- SiZF928DT-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
14,20 €
(TVA exclue)
17,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 12 650 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,84 € | 14,20 € |
| 50 - 120 | 2,672 € | 13,36 € |
| 125 - 245 | 2,412 € | 12,06 € |
| 250 - 495 | 2,27 € | 11,35 € |
| 500 + | 2,132 € | 10,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2943
- Référence fabricant:
- SiZF928DT-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 258A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAIR 6 x 5F | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00245Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 258A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAIR 6 x 5F | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00245Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Dual N-Channel 30 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906BDT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ254DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SIZ256DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ240DT-T1-GE3