Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 31.8 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SIZ256DT-T1-GE3

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228-2937
Référence fabricant:
SIZ256DT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

70V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3S

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0176Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 70 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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