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Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3

N° de stock RS:: 200-6873
Référence fabricant:: SiZ250DT-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 497,00 €

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3000 +	0,499 €	1 497,00 €

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N° de stock RS:: 200-6873
Référence fabricant:: SiZ250DT-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3FDC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.01887Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Length	3.3mm
	Height	0.75mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type PowerPAIR 3 x 3FDC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.01887Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Length 3.3mm
	Height 0.75mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Document- SiZ250DT-T1-GE3

The Vishay SiZ250DT-T1-GE3 is a dual N-channel 60V (D-S) MOSFETs.

TrenchFET Gen IV power MOSFETs

100 % Rg and UIS tested

Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching

characteristics

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