Références fabricant

Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3

N° de stock RS:: 200-6873
Référence fabricant:: SiZ250DT-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 200-6873
Référence fabricant:: SiZ250DT-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3FDC
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.01887Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Height	750μm
	Width	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3FDC
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.01887Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Height 750μm
	Width 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Document- SiZ250DT-T1-GE3

The Vishay SiZ250DT-T1-GE3 is a dual N-channel 60V (D-S) MOSFETs.

TrenchFET Gen IV power MOSFETs

100 % Rg and UIS tested

Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching

characteristics

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