Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 257 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906BDT-T1-GE3

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228-2941
Référence fabricant:
SiZF906BDT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

257A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAIR 6 x 5F

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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