Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 69.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3

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228-2939
Référence fabricant:
SiZ340BDT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

69.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3S

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00856Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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