Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 32.5 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ254DT-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

9,86 €

(TVA exclue)

11,93 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 7 960 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,986 €9,86 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
228-2935
Référence fabricant:
SiZ254DT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

32.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

70V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3S

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0161Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 70 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes