Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS54DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2933
- Référence fabricant:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
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| 50 - 120 | 2,00 € | 10,00 € |
| 125 - 245 | 1,598 € | 7,99 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2933
- Référence fabricant:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 185.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.06mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 185.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.06mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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