Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS54DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2933
- Référence fabricant:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,10 €
(TVA exclue)
13,45 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Dernier stock RS
- 5 755 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,22 € | 11,10 € |
| 50 - 120 | 2,00 € | 10,00 € |
| 125 - 245 | 1,598 € | 7,99 € |
| 250 - 495 | 1,442 € | 7,21 € |
| 500 + | 1,20 € | 6,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2933
- Référence fabricant:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 185.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.06mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 185.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.06mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA04DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH892BDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS176LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3