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Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET, 67.4 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS76LDN-T1-GE3

N° de stock RS:: 210-5018
Référence fabricant:: SiSS76LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET, 67.4 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS76LDN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 210-5018
Référence fabricant:: SiSS76LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	67.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	70V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SiSS76LDN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.83mm
	Length	3.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 67.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 70V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SiSS76LDN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.83mm
	Length 3.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSS76LDN-T1-GE3

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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