Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET, 67.4 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS76LDN-T1-GE3

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210-5018
Référence fabricant:
SiSS76LDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

67.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

70V

Series

SiSS76LDN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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