Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

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787-9409
Référence fabricant:
SISA10DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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