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Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9409
Référence fabricant:: SISA10DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 787-9409
Référence fabricant:: SISA10DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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