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Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 228-2929
Référence fabricant:: SiSH536DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 228-2929
Référence fabricant:: SiSH536DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Series	TrenchFET
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	67.4 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	30 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	PowerPAK 1212-8SH
	Automotive Standard	No
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	3.25 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	16 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	26.5 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	16.6 nC

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	Marque Vishay
	Series TrenchFET
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 67.4 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 30 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type PowerPAK 1212-8SH
	Automotive Standard No
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 3.25 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 16 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 26.5 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 16.6 nC

Datasheet - SiSH536DN-T1-GE3

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

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