Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S409ATMA2
- N° de stock RS:
- 223-8518
- Référence fabricant:
- IPD50N06S409ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 15 unités)*
13,02 €
(TVA exclue)
15,75 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 19 905 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,868 € | 13,02 € |
| 75 - 135 | 0,825 € | 12,38 € |
| 150 - 360 | 0,79 € | 11,85 € |
| 375 - 735 | 0,755 € | 11,33 € |
| 750 + | 0,703 € | 10,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 223-8518
- Référence fabricant:
- IPD50N06S409ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 71W | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 71W | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in DPAK package has drain to source voltage of 60 V. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package
Ultra low Rds
100% Avalanche tested
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S4L08ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S4L12ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S4L12ATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252