Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

882,50 €

(TVA exclue)

1 067,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 - 25000,353 €882,50 €
5000 +0,336 €840,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
218-3044
Référence fabricant:
IPD50N06S4L12ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has DPAK (TO-252) package type.

N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Liens connexes