Vishay SQJB46EP_RC Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJB46EP-T1_GE3

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210-5055
Référence fabricant:
SQJB46EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SQJB46EP_RC

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

6.25 mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.

R-C values for the electrical circuit in the foster/tank and cauer/filter configurations are included

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