Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3

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188-5101
Référence fabricant:
SQJ208EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Forward Voltage Vf

0.77V

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Width

4.47 mm

Height

1.01mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs.

TrenchFET® power MOSFET

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