Vishay SQJB46EP_RC Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJB46EP-T1_GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 512,00 €

(TVA exclue)

1 830,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Pénurie d'approvisionnement
En raison d'un problème d'approvisionnement, le stock est attribué au fur et à mesure de sa disponibilité.
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,504 €1 512,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
210-5054
Référence fabricant:
SQJB46EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SQJB46EP_RC

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Length

5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.

R-C values for the electrical circuit in the foster/tank and cauer/filter configurations are included

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.