Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 5.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ9945CEY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 735-225
- Référence fabricant:
- SQ9945CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
0,73 €
(TVA exclue)
0,88 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 07 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,73 € |
| 25 - 99 | 0,49 € |
| 100 + | 0,26 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 735-225
- Référence fabricant:
- SQ9945CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.082Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.082Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Liens connexes
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SQRS140EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SQRS160EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ872EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ152EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ126EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ431AEP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ481EP-T1_GE3