Vishay SQJA38EP Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJA38EP-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 188-5120
- Référence fabricant:
- SQJA38EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
7,14 €
(TVA exclue)
8,64 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 03 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,714 € | 7,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 188-5120
- Référence fabricant:
- SQJA38EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SQJA38EP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48.2nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.47 mm | |
| Height | 1.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SQJA38EP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48.2nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.47 mm | ||
Height 1.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Liens connexes
- Vishay N-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin PowerPAK SO-8L SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ170ELP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA66EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ160EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJB46ELP-T1_GE3
- Vishay SQJ264EP Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ264EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ142EP-T1_GE3
