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Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 373 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SQRS160EP-T1_GE3

N° de stock RS:: 735-238
Référence fabricant:: SQRS160EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 373 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SQRS160EP-T1_GE3

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N° de stock RS:: 735-238
Référence fabricant:: SQRS160EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	373A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8SW
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.002Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	130nC
	Maximum Power Dissipation Pd	270W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 373A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8SW
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.002Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 130nC
	Maximum Power Dissipation Pd 270W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQRS160EP-T1_GE3

Pays d'origine :: DE

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