Vishay SQJA66EP_RC Type N-Channel MOSFET, 75 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA66EP-T1_GE3

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210-5051
Référence fabricant:
SQJA66EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SQJA66EP_RC

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64.9nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

6.25 mm

Length

5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay N channel MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.

R-C values for the electrical circuit in the foster/tank and cauer/filter configurations are included

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