Références fabricant

Vishay SQJA66EP_RC Type N-Channel MOSFET, 75 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8

N° de stock RS:: 210-5050
Référence fabricant:: SQJA66EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQJA66EP_RC Type N-Channel MOSFET, 75 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 692,00 €

(TVA exclue)

2 046,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,564 €	1 692,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 210-5050
Référence fabricant:: SQJA66EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SO-8
	Series	SQJA66EP_RC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	64.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.1mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SO-8
	Series SQJA66EP_RC
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.1mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJA66EP-T1_GE3

The Vishay N channel MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.

R-C values for the electrical circuit in the foster/tank and cauer/filter configurations are included

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