Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS61DN-T1-GE3

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188-5117
Référence fabricant:
SiSS61DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

111.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS61DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

154nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-32-537

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