Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET, 108 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS05DN-T1-GE3

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188-5013
Référence fabricant:
SiSS05DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS05DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-38-851

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

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Enables higher power density

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