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Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

N° de stock RS:: 188-4905
Référence fabricant:: SiSS61DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 311,00 €

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3000 +	0,437 €	1 311,00 €

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N° de stock RS:: 188-4905
Référence fabricant:: SiSS61DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	111.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SiSS61DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	154nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	65.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.78mm
	Length	3.3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 111.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SiSS61DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 154nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 65.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.78mm
	Length 3.3mm
	Automotive Standard No

Datasheet SiSS61DN-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

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