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Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS27DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 814-1323
Référence fabricant:: SISS27DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS27DN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 814-1323
Référence fabricant:: SISS27DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	92nC
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Height	0.78mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 92nC
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Height 0.78mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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