Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH101DN-T1-GE3

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188-5039
Référence fabricant:
SiSH101DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSH101DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.93mm

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-32-535

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

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