Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET, 108 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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N° de stock RS:
188-4900
Référence fabricant:
SiSS05DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSS05DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Provides exceptionally low RDS(on) in a compact package that is thermally enhanced

Enables higher power density

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